SEMICONDUCTORS AT CRYOGENIC TEMPERATURES

被引：48

作者：

JONSCHER, AK

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/PROC.1964.3296

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1092 / &

共 79 条

[1]

AIGRAM P, 1961, SELECTED CONSTANTS R

ALLEN, JW ;

MONCASTER, ME ;

STARKIEWICZ, J .

[3]

ALLGAIER RS, 1962, P INT C PHYS SEMICON, P172

[4]

Barton L. E., 1962, ELECTRONICS, V35, P38

[5] RECOMBINATION IN SEMICONDUCTORS [J].

BEMSKI, G .

PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF RADIO ENGINEERS, 1958, 46 (06) :990-1004

[6]

BERNARD M, 1961, P INTERNAT C SEMICON, P256

[7]

BETJEMANN AG, PRIVATE COMMUNICATIO

[8]

BLAKE C, 1964, P INTERNAT SOLIDSTAT, P42

[9]

Bonch-Bruevich V. L., 1962, P INT C PHYS SEMICON, P216

[10] PLASMA EFFECTS IN SOLIDS [J].

BOWERS, R ;

STEELE, MC .