PHASE-NOISE BEHAVIOR OF FREQUENCY-DIVIDERS IMPLEMENTED WITH GAAS HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS

被引：4

作者：

AGARWAL, KK ^{[1
]}

THOMPSON, WJ ^{[1
]}

ASBECK, PM ^{[1
]}

机构：

[1] ROCKWELL INT CORP,CTR MICROELECTR RES & DEV,THOUSAND OAKS,CA 91360

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1985年 / 21卷 / 22期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19850712

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：1005 / 1006

页数：2

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共 2 条

[1]

Asbeck P. M., 1984, GaAs IC Symposium Technical Digest 1984 (Cat. No. 84CH2065-1), P133

[2]

SCHERER D, 1983, MAY HEWL RF MICR MEA