THE EFFECT OF OPERATING FREQUENCY IN THE RADIATION-INDUCED BUILDUP OF TRAPPED HOLES AND INTERFACE STATES IN MOS DEVICES

被引：52

作者：

STANLEY, T

NEAMEN, D

DRESSENDORFER, P

SCHWANK, J

WINOKUR, P

ACKERMANN, M

JUNGLING, K

HAWKINS, C

GRANNEMANN, W

机构：

[1] UNIV NEW MEXICO,ALBUQUERQUE,NM 87131

[2] SANDIA NATL LABS,KIRTLAND AFB,NM

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1985.4334054

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：3982 / 3987

页数：6