POWER MOSFET DYNAMIC LARGE-SIGNAL MODEL

被引：21

作者：

MINASIAN, RA

机构：

来源：

IEE PROCEEDINGS-I COMMUNICATIONS SPEECH AND VISION | 1983年 / 130卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1049/ip-i-1.1983.0018

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

TRANSISTORS, FIELD EFFECT

引用

页码：73 / 79

页数：7

共 9 条

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