RESONANT TUNNELING OF HOLES THROUGH SILICON BARRIERS

被引：22

作者：

GENNSER, U ^{[1
]}

KESAN, VP ^{[1
]}

IYER, SS ^{[1
]}

BUCELOT, TJ ^{[1
]}

YANG, ES ^{[1
]}

机构：

[1] IBM CORP,DIV RES,TJ WATSON RES CTR,YORKTOWN HTS,NY 10598

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1990年 / 8卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1116/1.584811

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：210 / 213

页数：4