ELECTRON-PHONON COUPLING IN HIGHLY DOPED N-TYPE SILICON

被引：36

作者：

JOUANNE, M

BESERMAN, R

IPATOVA, I

SUBASHIEV, A

机构：

[1] UNIV PARIS 06, CNRS, LAB PHYS SOLIDES, TOUR 13 QUAI ST BERNARD, PARIS 5, FRANCE

[2] AF IOFFE PHYS TECH INST, 194021 LENINGRAD, USSR

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1098(75)90650-X

中图分类号：

O469 [凝聚态物理学];

学科分类号：

070205 ;

摘要：

引用

页码：1047 / 1049

页数：3

共 5 条

[1]

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