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EFFECT OF DOPING PROFILE VARIATION ON GAAS HYBRID AND DOUBLE-READ IMPATT DIODE PERFORMANCE AT 60 AND 94 GHZ

被引：6
作者：
ELGABALY, MA
MAINS, RK
HADDAD, GI
机构：
[1] KUWAIT UNIV,KUWAIT CITY,KUWAIT
[2] KUWAIT INST SCI RES,SAFAT,KUWAIT
来源：
IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES | 1984年 / 32卷 / 10期
关键词：
D O I：
10.1109/TMTT.1984.1132846
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页码：1342 / 1352
页数：11
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共 4 条
[1]   EFFECTS OF DOPING PROFILE ON GAAS DOUBLE-DRIFT IMPATT DIODES AT 33 AND 44 GHZ USING THE ENERGY-MOMENTUM TRANSPORT MODEL [J].
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