COMPUTER-SIMULATION OF HIGH-DOSE REACTIVE-ION IMPLANTS INTO SILICON

被引：3

作者：

DOBSON, RM ^{[1
]}

ARROWSMITH, RP ^{[1
]}

HEMMENT, PLF ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV SURREY,GUILDFORD GU2 5XH,SURREY,ENGLAND

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1983年 / 1卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1116/1.582740

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1331 / 1333

页数：3

共 8 条

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