ELECTRON-TRANSPORT THROUGH THE MOCVD GROWN GAAS/ALGAAS/GAAS HETEROJUNCTION BARRIER

被引：13

作者：

HASE, I

KAWAI, H

KANEKO, K

WATANABE, N

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19840341

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：491 / 492

页数：2

共 4 条

[1] TUNNELLING THROUGH GAAS-ALXGA1-XAS-GAAS DOUBLE HETEROJUNCTIONS [J].

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