THE LPCVD OF SILICON-OXIDE FILMS BELOW 400-DEGREES-C FROM LIQUID SOURCES

被引：23

作者：

HOCHBERG, AK

OMEARA, DL

机构：

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1989年 / 136卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1149/1.2097046

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

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页码：1843 / 1844

页数：2

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共 4 条

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