CONTROLLED NOISE GENERATION WITH AVALANCHE DIODES .2. HIGH PULSE RATE DESIGN

被引：9

作者：

HAITZ, RH

机构：

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1966年 / ED13卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1966.15690

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：342 / &

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共 2 条

[1] MECHANISMS CONTRIBUTING TO NOISE PULSE RATE OF AVALANCHE DIODES [J].

HAITZ, RH .

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1965, 36 (10) :3123-&

[2]

HAITZ RH, 1965, IEEE T ELECTRON DEVI, VED12, P198