DEVELOPMENT OF SURFACE-TOPOLOGY DURING ION SPUTTERING OF SILICON

被引：2

作者：

AUGULIS, L

JASIULIONIS, B

PRANEVICIUS, L

机构：

来源：

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS | 1987年 / 21卷 / 2-4期

关键词：

D O I：

10.1016/0168-583X(87)90919-0

中图分类号：

TH7 [仪器、仪表];

学科分类号：

0804 ; 080401 ; 081102 ;

摘要：

引用

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页码：608 / 609

页数：2

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共 2 条

[1]

NORIS CP, 1983, REV SCI INSTR, V54, P552

[2]

PUODZIUKYNAS L, 1986, LITHUANIAN PHYSICS C, V26, P484