A 12-NS ECL I/O 256K X 1-BIT SRAM USING A 1-MU-M BICMOS TECHNOLOGY

被引：10

作者：

KERTIS, RA

SMITH, DD

BOWMAN, TL

机构：

来源：

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS | 1988年 / 23卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1109/4.5923

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：1048 / 1053

页数：6

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共 2 条

[1]

BASTANI B, 1987, MAY S VLSI TECHN, P41

[2]

YASHIMOTO M, 1983, FEB ISSCC DIG TECH P, P58