HIGH-RATE DEPOSITION OF PHOTOSENSITIVE A-SIC-H USING A CARBON SOURCE OF C2H2

被引:11
作者
NAKAYAMA, Y
AKITA, S
NAKANO, M
KAWAMURA, T
机构
关键词
D O I
10.1016/0022-3093(87)90347-4
中图分类号
TQ174 [陶瓷工业]; TB3 [工程材料学];
学科分类号
0805 ; 080502 ;
摘要
引用
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页码:1447 / 1450
页数:4
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