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PLASMA IMMERSION ION-IMPLANTATION FOR IMPURITY GETTERING IN SILICON
被引：13
作者：
WONG, H
QIAN, XY
CARL, D
CHEUNG, NW
LIEBERMAN, MA
BROWN, IG
YU, KM
机构：
来源：
ION BEAM PROCESSING OF ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS
|
1989年
/
147卷
关键词：
D O I：
10.1557/PROC-147-91
中图分类号：
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号：
081704 ;
摘要：
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页码：91 / 96
页数：6
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