CARRIER CONCENTRATION PROFILE OF GAN LAYERS BEI USING ADDITIONAL DRIED NH3

被引：1

作者：

FRANZHELD, R ^{[1
]}

SOBOTTA, H ^{[1
]}

SEIFERT, W ^{[1
]}

BUTTER, E ^{[1
]}

机构：

[1] KARL MARX UNIV,SEKT PHYS,DDR-7010 LEIPZIG,GER DEM REP

来源：

CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY | 1986年 / 21卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1002/crat.2170210528

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

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页码：K71 / K73

页数：3

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共 4 条

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