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PHOTOLUMINESCENCE OF THE 78 MEV ACCEPTOR IN GAAS-LAYERS GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY
被引：16
作者：
MIHARA, M
MANNOH, M
SHINOZAKI, K
NARITSUKA, S
ISHII, M
机构：
来源：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS
|
1986年
/
25卷
/
07期
关键词：
D O I：
10.1143/JJAP.25.L611
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：L611 / L613
页数：3
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