CMOS TRANSCONDUCTANCE ELEMENT

被引：30

作者：

VISWANATHAN, TL

机构：

[1] Wilfrid Laurier Univ, Waterloo, Ont,, Can, Wilfrid Laurier Univ, Waterloo, Ont, Can

来源：

PROCEEDINGS OF THE IEEE | 1986年 / 74卷 / 01期

关键词：

CMOS ANTIALIASING FILTERS - COMPLEMENTARY MOS (CMOS) QUAD CELL - NEGATIVE FEEDBACK - TEMPERATURE-BASED MOBILITY DEGRADATION - VARIABLE TRANSCONDUCTANCE;

D O I：

10.1109/PROC.1986.13439

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页数：3