HIGH-ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS WITH SELECTIVELY DOPED GAAS-N-ALGAAS HETEROJUNCTIONS

被引：8

作者：

MIMURA, T ^{[1
]}

HIYAMIZU, S ^{[1
]}

HASHIMOTO, H ^{[1
]}

FUKUTA, M ^{[1
]}

机构：

[1] FUJITSU LABS LTD,NAKAHARA KU,KAWASAKI,KANAGAWA 211,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1980.20234

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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