PERIPHERAL CIRCUITS FOR ONE TRANSISTOR CELL MOS RAMS

被引：23

作者：

FOSS, RC ^{[1
]}

HARLAND, R ^{[1
]}

机构：

[1] MICROSYST INT LTD,OTTAWA,ONTARIO,CANADA

来源：

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS | 1975年 / 10卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1109/JSSC.1975.1050608

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：255 / 261

页数：7

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共 3 条

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