LOW-TEMPERATURE ANNEALINGS OF DEFECT CREATED BY 1.5 MEV ELECTRON-IRRADIATION IN N-TYPE CDTE

被引：6

作者：

CAILLOT, M

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0375-9601(72)90949-8

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：2 / &

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共 6 条

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