STUDY OF GROWTH-CONDITIONS OF SILICON-CARBIDE EPITAXIAL LAYERS

被引：18

作者：

SAIDOV, MS

SHAMURATOV, KA

KADYROV, MA

机构：

[1] Uzbek Acad of Sciences, Tashkent, USSR, Uzbek Acad of Sciences, Tashkent, USSR

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-0248(88)90099-1

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

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页数：4