APPLICATION FIELDS OF ANOF LAYERS AND COMPOSITES

被引：58

作者：

KURZE, P ^{[1
]}

KRYSMANN, W ^{[1
]}

SCHNEIDER, HG ^{[1
]}

机构：

[1] VEB GALVANOTECH,DDR-7050 LEIPZIG,GER DEM REP

来源：

CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY | 1986年 / 21卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1002/crat.2170211224

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

页码：1603 / 1609

页数：7

共 24 条

[1]

BETHMANN W, 1984, EINSATZ ANOF SCHICHT

[2]

BETHMANN W, 1985, 11 WELT K INT GES KI

[3] STRUCTURE AND PROPERTIES OF ANOF LAYERS [J].

DITTRICH, KH ;

KRYSMANN, W ;

KURZE, P ;

SCHNEIDER, HG .

CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY, 1984, 19 (01) :93-99

[4]

DITTRICH KH, 1985, THESIS TH KARLMARXST

[5]

KNOFLER W, 1985, THESIS KARLMARX U LE

[6] PROCESS CHARACTERISTICS AND PARAMETERS OF ANODIC-OXIDATION BY SPARK DISCHARGE (ANOF) [J].

KRYSMANN, W ;

KURZE, P ;

DITTRICH, KH ;

SCHNEIDER, HG .

CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY, 1984, 19 (07) :973-979

[7]

KURZE P, Patent No. 158652

[8]

KURZE P, IN PRESS EIN NEUES B

[9]

KURZE P, Patent No. 229163

[10]

KURZE P, Patent No. 2768673

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