GOLD-BASED GATE-SINKING ENHANCED BY INHOMOGENEITIES IN POWER MESFETS

被引：7

作者：

CANALI, C

DONZELLI, G

FANTINI, F

VANZI, M

PACCAGNELLA, A

机构：

[1] UNIV PADUA,DEPARTIMENTO FIS,I-35131 PADUA,ITALY

[2] TELETTRA SPA,I-20059 VIMERCATE,ITALY

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19870060

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：83 / 84

页数：2

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共 4 条

CANALI, C ;

CASTALDO, F ;

FANTINI, F ;

OGLIARI, D ;

UMENA, L ;

ZANONI, E .

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