EFFECT OF IN SITU ETCHING AND SUBSTRATE MISORIENTATION ON THE MORPHOLOGY OF VPE INP LAYERS

被引：7

作者：

CHEVRIER, J ^{[1
]}

HUBER, AM ^{[1
]}

LINH, NT ^{[1
]}

机构：

[1] THOMSON CSF,CENT RES LABS,F-91401 ORSAY,FRANCE

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-0248(81)90485-1

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

页码：369 / 371

页数：3

共 9 条

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