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EPITAXIAL-GROWTH OF II-VI SEMICONDUCTORS ON VICINAL GAAS-SURFACES
被引：7
作者：
FEUILLET, G
CIBERT, J
LIGEON, E
GOBIL, Y
SAMINADAYAR, K
TATARENKO, S
机构：
来源：
CHEMISTRY AND DEFECTS IN SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES
|
1989年
/
148卷
关键词：
D O I：
10.1557/PROC-148-389
中图分类号：
T [工业技术];
学科分类号：
08 ;
摘要：
引用
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页码：389 / 394
页数：6
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