TEMPERATURE DEPENDENCE OF GUNN EFFECT IN GAAS OVER RANGE 77 DEGREES K TO 545 DEGREES K

被引：7

作者：

HIGASHISAKA, A

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1970年 / 9卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.9.583

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

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[1] STABLE SPACE-CHARGE LAYERS IN 2-VALLEY SEMICONDUCTORS [J].

COPELAND, JA .

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1966, 37 (09) :3602-+

[2]

OHTAKE Y, PRIVATE COMMUNICATIO

[3] CW OSCILLATIONS IN GAAS PLANAR-TYPE BULK DIODES [J].

SEKIDO, K ;

TAKEUCHI, T ;

HASEGAWA, F ;

KIKUCHI, S .

PROCEEDINGS OF THE IEEE, 1969, 57 (05) :815-+

[4]

SEKIDO K, 1969, 1 P C SOL STAT DEV T