SELECTIVE EPITAXIAL-GROWTH OF INAS ON GAAS BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY

被引:16
作者
OKAMOTO, A
OHATA, K
机构
来源
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS | 1987年 / 26卷 / 07期
关键词
D O I
10.1143/JJAP.26.L1174
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
引用
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页码:L1174 / L1176
页数:3
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