EXCESS CURRENT IN GALLIUM ARSENIDE TUNNEL DIODES

被引：12

作者：

NANAVATI, RP

DEANDRADE, CA

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/PROC.1964.3161

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：869 / &

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共 5 条

CARDONA, M .

PHYSICAL REVIEW, 1961, 121 (03) :752-&

[2] EXCESS TUNNEL CURRENT IN SILICON ESAKI JUNCTIONS [J].

CHYNOWETH, A ;

LOGAN, RA ;

FELDMANN, WL .

PHYSICAL REVIEW, 1961, 121 (03) :684-&

[3]

NANAVATI RP, 1963, PHYS FAIL ELECTRON, P214

[4]

WELKER H, 1956, SOLID STATE PHYS, V3, P51

[5]

YAJIMA T, 1958, J PHYS SOC J PHYS SO, V13, P128