NEGATIVE DYNAMIC RESISTANCE IN MOS DEVICES

被引：34

作者：

SHARMA, D ^{[1
]}

GAUTIER, J ^{[1
]}

MERCKEL, G ^{[1
]}

机构：

[1] CEN,LETI,MEA,F-38041 GRENOBLE,FRANCE

来源：

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS | 1978年 / 13卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1109/JSSC.1978.1051060

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：378 / 380

页数：3

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共 3 条

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