THEORY OF ELECTRONIC BOUND-STATES ASSOCIATED WITH N-TYPE INVERSION LAYERS ON SILICON

被引:7
作者
KRAMER, GM
MARTIN, BG
WALLIS, RF
机构
关键词
D O I
10.1016/0039-6028(78)90474-0
中图分类号
O64 [物理化学(理论化学)、化学物理学];
学科分类号
070304 ; 081704 ;
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共 3 条
  • [1] HARTSTEIN A, 1977, PHYSICS SEMICONDUCTO, P741
  • [2] MARTIN BG, 1977, PHYSICS SEMICONDUCTO, P792
  • [3] MARTIN BR, UNPUBLISHED