LOW-TEMPERATURE MOLECULAR-BEAM EPITAXY OF SILICON (SI-MBE)

被引:4
作者
KASPER, E
SCHAFFLER, F
机构
来源
PHYSICA SCRIPTA | 1989年 / T29卷
关键词
D O I
10.1088/0031-8949/1989/T29/027
中图分类号
O4 [物理学];
学科分类号
0702 ;
摘要
引用
收藏
页码:147 / 151
页数:5
相关论文
共 4 条
  • [1] DAMBKES H, 1988, 2ND P INT S SI MBE, P15
  • [2] Strohm K. M., 1988, Mikrowellen Magazin, V14, P750
  • [3] Tung R.T., 1988, SILICON MOL BEAM EPI, V2, P13
  • [4] ZACHAI R, 1988, IN PRESS 19TH P ICPS