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LOW-TEMPERATURE MOLECULAR-BEAM EPITAXY OF SILICON (SI-MBE)
被引:4
作者
:
KASPER, E
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
KASPER, E
SCHAFFLER, F
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0
SCHAFFLER, F
机构
:
来源
:
PHYSICA SCRIPTA
|
1989年
/ T29卷
关键词
:
D O I
:
10.1088/0031-8949/1989/T29/027
中图分类号
:
O4 [物理学];
学科分类号
:
0702 ;
摘要
:
引用
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页码:147 / 151
页数:5
相关论文
共 4 条
[1]
DAMBKES H, 1988, 2ND P INT S SI MBE, P15
[2]
Strohm K. M., 1988, Mikrowellen Magazin, V14, P750
[3]
Tung R.T., 1988, SILICON MOL BEAM EPI, V2, P13
[4]
ZACHAI R, 1988, IN PRESS 19TH P ICPS
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共 4 条
[1]
DAMBKES H, 1988, 2ND P INT S SI MBE, P15
[2]
Strohm K. M., 1988, Mikrowellen Magazin, V14, P750
[3]
Tung R.T., 1988, SILICON MOL BEAM EPI, V2, P13
[4]
ZACHAI R, 1988, IN PRESS 19TH P ICPS
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