SUB-BREAKDOWN DRAIN LEAKAGE CURRENT IN MOSFET

被引：228

作者：

CHEN, J ^{[1
]}

CHAN, TY ^{[1
]}

CHEN, IC ^{[1
]}

KO, PK ^{[1
]}

HU, C ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV CALIF BERKELEY,DEPT ELECT ENGN & COMP SCI,BERKELEY,CA 94720

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1987.26713

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页数：3