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DIFFUSION OF BORON, PHOSPHORUS, ARSENIC, AND ANTIMNY INTO (100( AND (111( SILICON SLICES
被引:21
作者
:
CHAN, TC
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
CHAN, TC
MAI, CC
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MAI, CC
机构
:
来源
:
PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS
|
1970年
/ 58卷
/ 04期
关键词
:
D O I
:
10.1109/PROC.1970.7699
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
收藏
页码:588 / &
相关论文
共 4 条
[1]
INFLUENCE OF CRYSTAL ORIENTATION ON SILICON SEMICONDUCTOR PROCESSING
BEAN, KE
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
Texas Instruments Incorporated, Dallas
BEAN, KE
GLEIM, PS
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
Texas Instruments Incorporated, Dallas
GLEIM, PS
[J].
PROCEEDINGS OF THE IEEE,
1969,
57
(09)
: 1469
-
&
[2]
Grove A S, 1967, PHYS TECHNOLOGY SEMI
[3]
Pauling L., 1960, NATURE CHEM BOND INT
[4]
WAGGENER HA, 1967, ELECTRONICS, V40, P274
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共 4 条
[1]
INFLUENCE OF CRYSTAL ORIENTATION ON SILICON SEMICONDUCTOR PROCESSING
BEAN, KE
论文数:
0
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0
h-index:
0
机构:
Texas Instruments Incorporated, Dallas
BEAN, KE
GLEIM, PS
论文数:
0
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0
机构:
Texas Instruments Incorporated, Dallas
GLEIM, PS
[J].
PROCEEDINGS OF THE IEEE,
1969,
57
(09)
: 1469
-
&
[2]
Grove A S, 1967, PHYS TECHNOLOGY SEMI
[3]
Pauling L., 1960, NATURE CHEM BOND INT
[4]
WAGGENER HA, 1967, ELECTRONICS, V40, P274
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