APPARATUS FOR MEASURING RESISTIVITY AND HALL COEFFICIENT OF HEAVILY DOPED SEMICONDUCTORS AT HIGH TEMPERATURES

被引：9

作者：

ROWE, DM

BUNCE, RW

机构：

来源：

JOURNAL OF PHYSICS E-SCIENTIFIC INSTRUMENTS | 1971年 / 4卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1088/0022-3735/4/11/027

中图分类号：

TH7 [仪器、仪表];

学科分类号：

0804 ; 080401 ; 081102 ;

摘要：

引用

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页码：902 / &

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共 4 条

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