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ANOMALOUS BEHAVIOR OF SCHOTTKY BARRIER DIODES MADE ON LIGHTLY DOPED GAAS
被引:2
作者
:
AMSTERDA.MF
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
AMSTERDA.MF
机构
:
来源
:
METALLURGICAL TRANSACTIONS
|
1970年
/ 1卷
/ 03期
关键词
:
D O I
:
10.1007/BF02811590
中图分类号
:
TF [冶金工业];
学科分类号
:
0806 ;
摘要
:
引用
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页码:643 / &
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共 3 条
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BAILEY LG, 1967, AFALTR67325 TECH REP, P72
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BLAKESLEE AE, 1969, MAY EL M
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SAH CT, 1967, IEEE T, VED11, P345
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