EVALUATION OF TEMPERATURE EFFECTS IN P-TYPE SILICON DETECTORS

被引:48
作者
GRUSELL, E [1 ]
RIKNER, G [1 ]
机构
[1] UNIV UPPSALA, AKAD SJUKHUSET, INST ONCOL, DEPT HOSP PHYS, S-75105 UPPSALA, SWEDEN
关键词
D O I
10.1088/0031-9155/31/5/005
中图分类号
R318 [生物医学工程];
学科分类号
0831 ;
摘要
引用
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页码:527 / 534
页数:8
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