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IC YIELD PROBLEM - TENTATIVE ANALYSIS FOR MOS-SOS CIRCUITS
被引:13
作者
:
BERNARD, J
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
BERNARD, J
机构
:
来源
:
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
|
1978年
/ 25卷
/ 08期
关键词
:
D O I
:
10.1109/T-ED.1978.19205
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:939 / 944
页数:6
相关论文
共 6 条
[1]
BERNARD J, 1975, SOS WORKSHOP S LAKE
[2]
IPRI AC, 1977, SOS WORKSHOP VAIL
[3]
LAWSON TR, 1969, SOLID STATE TECH JUL
[4]
PRICE JE, 1970, P IEEE, V58
[5]
STAPPER CH, 1973, IEEE T ELECTRON DEVI, V20
[6]
TANABE I, 1975 KOD MICR SEM MO
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共 6 条
[1]
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[2]
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[3]
LAWSON TR, 1969, SOLID STATE TECH JUL
[4]
PRICE JE, 1970, P IEEE, V58
[5]
STAPPER CH, 1973, IEEE T ELECTRON DEVI, V20
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