THE MOBILITY EDGE LINEUP OF AMORPHOUS-SILICON AND SILICON-GERMANIUM ALLOYS HETEROJUNCTION

被引：4

作者：

WU, ZY ^{[1
]}

SIEFERT, JM ^{[1
]}

EQUER, B ^{[1
]}

机构：

[1] ECOLE POLYTECH,PHYS INTERFACES & COUCHES MINCES,CNRS,UPR 258,F-91128 PALAISEAU,FRANCE

来源：

JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS | 1991年 / 137卷

关键词：

D O I：

10.1016/S0022-3093(05)80308-4

中图分类号：

TQ174 [陶瓷工业]; TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

A new method to study the band discontinuity, the flat band method, is reported. The method enable us to determine both electron and hole mobility edge discontinuities with a good precision. The band lineup results are presented.

引用

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