OBSERVATION OF PN JUNCTIONS ON IMPLANTED SILICON USING A SCANNING TUNNELING MICROSCOPE

被引：76

作者：

HOSAKA, S

HOSOKI, S

TAKATA, K

HORIUCHI, K

NATSUAKI, N

机构：

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1988年 / 53卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1063/1.99876

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

收藏

页码：487 / 489

页数：3

相关论文

共 4 条

[1] SURFACE ELECTRONIC-STRUCTURE OF SI(111)-(7 X 7) RESOLVED IN REAL SPACE [J].

HAMERS, RJ ;

TROMP, RM ;

DEMUTH, JE .

PHYSICAL REVIEW LETTERS, 1986, 56 (18) :1972-1975

[2]

KOCH RH, 1987, P IEDM, V87, P566

[3]

MURALT P, 1987, APPL PHYS LETT, V50, P1357

[4] TOPOGRAFINER - INSTRUMENT FOR MEASURING SURFACE MICROTOPOGRAPHY [J].

YOUNG, R ;

WARD, J ;

SCIRE, F .

REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS, 1972, 43 (07) :999-&