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PROPERTIES OF MBE GROWN HETEROSTRUCTURES OF GAAS/INSB AND INP/INSB
被引：1
作者：
ASOM, MT
FITZGERALD, EA
THIEL, FA
PEOPLE, R
EAGLESHAM, D
LUTHER, L
SPUTZ, SK
KIMERLING, LC
机构：
来源：
III-V HETEROSTRUCTURES FOR ELECTRONIC / PHOTONIC DEVICES
|
1989年
/
145卷
关键词：
D O I：
10.1557/PROC-145-399
中图分类号：
O7 [晶体学];
学科分类号：
0702 ;
070205 ;
0703 ;
080501 ;
摘要：
引用
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页码：399 / 404
页数：6
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