ZEEMAN EFFECT AT NI IMPURITIES IN II-VI SEMICONDUCTORS

被引：8

作者：

BROSER, I ^{[1
]}

GERMER, R ^{[1
]}

SCHULZ, HJ ^{[1
]}

机构：

[1] MAX PLANCK GESELL,FRITZ HABER INST,D-1000 BERLIN 33,FED REP GER

来源：

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS | 1980年 / 15-8卷 / JAN-期

关键词：

D O I：

10.1016/0304-8853(80)90933-6

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

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页码：29 / 30

页数：2

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