未找到相关数据
VACUUM CHEMICAL EPITAXY - HIGH THROUGHPUT GAAS EPITAXY WITHOUT ARSINE
被引：6
作者：
FRAAS, LM
GIRARD, GR
SUNDARAM, VS
MASTER, C
STALL, R
机构：
来源：
III-V HETEROSTRUCTURES FOR ELECTRONIC / PHOTONIC DEVICES
|
1989年
/
145卷
关键词：
D O I：
10.1557/PROC-145-253
中图分类号：
O7 [晶体学];
学科分类号：
0702 ;
070205 ;
0703 ;
080501 ;
摘要：
引用
收藏
页码：253 / 258
页数：6
相关论文