MICROWAVE HALL EFFECT IN GERMANIUM AND SILICON AT 20 KMC-S

被引:22
作者
HAMBLETON, GE
GARTNER, WW
机构
关键词
D O I
10.1016/0022-3697(59)90353-1
中图分类号
O6 [化学];
学科分类号
0703 ;
摘要
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页数:4
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