THE EFFECT OF ANNEALING UPON THE RESISTIVITY DISTRIBUTION IN SUBSURFACE LAYERS OF SILICON IRRADIATED WITH HYDROGEN AND HELIUM-IONS

被引：1

作者：

BULGAKOV, YV

KUZNETSOV, NV

YATSENKO, LA

机构：

来源：

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH | 1980年 / 61卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1002/pssa.2210610159

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

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页码：K81 / K82

页数：2

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共 4 条

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