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ANNEALING TECHNIQUE FOR LEC GROWN TWIN-FREE INP CRYSTALS
被引:8
作者
:
BONNER, WA
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
BONNER, WA
机构
:
来源
:
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY
|
1980年
/ 127卷
/ 08期
关键词
:
D O I
:
10.1149/1.2130004
中图分类号
:
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号
:
081704 ;
摘要
:
引用
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页码:1798 / 1800
页数:3
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共 7 条
[1]
[Anonymous], COMMUNICATION
[2]
BACHMANN KJ, 1975, 24 I PHYS C SER, pCH3
[3]
REPRODUCIBLE PREPARATION OF TWIN-FREE INP CRYSTALS USING THE LEC TECHNIQUE
BONNER, WA
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
BONNER, WA
[J].
MATERIALS RESEARCH BULLETIN,
1980,
15
(01)
: 63
-
72
[4]
BUEHLER E, 1968, J CRYST GROWTH, V43, P584
[5]
COUSEN A, 1928, J SOC GLASS TECHNOL, V12, P169
[6]
Logan Rayford, COMMUNICATION
[7]
MAHAJAN SK, UNPUBLISHED
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共 7 条
[1]
[Anonymous], COMMUNICATION
[2]
BACHMANN KJ, 1975, 24 I PHYS C SER, pCH3
[3]
REPRODUCIBLE PREPARATION OF TWIN-FREE INP CRYSTALS USING THE LEC TECHNIQUE
BONNER, WA
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BONNER, WA
[J].
MATERIALS RESEARCH BULLETIN,
1980,
15
(01)
: 63
-
72
[4]
BUEHLER E, 1968, J CRYST GROWTH, V43, P584
[5]
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[6]
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[7]
MAHAJAN SK, UNPUBLISHED
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