NORMALIZED CHARACTERISTIC OF SATURATED HIGH-FIELD MOSFETS

被引：2

作者：

VANDERZI.A ^{[1
]}

NUSSBAUM, A ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV MINNESOTA,ELECT ENGN DEPT,MINNEAPOLIS 1,MN 55455

来源：

SOLID-STATE ELECTRONICS | 1974年 / 17卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(74)90137-3

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：413 / 414

页数：2

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共 2 条

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