SPECIAL ISSUE PAPERS ON POWER AND HIGH-VOLTAGE INTEGRATED-CIRCUITS - FOREWORD

被引：1

作者：

BALIGA, BJ

NISHIZAWA, JI

ROSSEL, P

机构：

[1] CNRS,AUTOMAT & SYST ANAL LAB,MOSFET DEVICES & CIRCUIT DESIGN,F-31400 TOULOUSE,FRANCE

[2] SEMICONDUCTOR RES INST,SENDAI,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1986.22848

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1933 / 1935

页数：3