150-NS, 150-MW, 64K DYNAMIC MOS RAM

被引：7

作者：

WADA, T

TAKADA, M

MATSUE, S

KAMOSHIDA, M

SUZUKI, SI

机构：

来源：

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS | 1978年 / 13卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1109/JSSC.1978.1051107

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：607 / 611

页数：5

相关论文

共 3 条

[1] 16 384-BIT DYNAMIC RAM
AHLQUIST, CN
BREIVOGEL, JR
KOO, JT
MCCOLLUM, JL
OLDHAM, WG
RENNINGER, AL
[J]. IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, 1976, 11 (05) : 570 - 574
[2] SCHROEDER PR, 1977, ISSCC DIG TECH PAPER
[3] YOSHIMURA H, 1978, ISSCC DIG TECH PAPER