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MOLECULAR EFFECT IN THE EXPANSION OF ION-IMPLANTED INSB
被引:10
作者
:
DESTEFANIS, GL
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DESTEFANIS, GL
BELLE, JP
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BELLE, JP
OGIERCOLLIN, JM
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OGIERCOLLIN, JM
GAILLIARD, JP
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GAILLIARD, JP
机构
:
来源
:
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS
|
1981年
/ 182卷
/ APR期
关键词
:
D O I
:
10.1016/0029-554X(81)90789-8
中图分类号
:
TH7 [仪器、仪表];
学科分类号
:
0804 ;
080401 ;
081102 ;
摘要
:
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页码:637 / 639
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相关论文
共 3 条
[1]
VERY EFFICIENT VOID FORMATION IN ION-IMPLANTED INSB
[J].
DESTEFANIS, GL
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DESTEFANIS, GL
;
GAILLIARD, JP
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GAILLIARD, JP
.
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1980,
36
(01)
:40
-42
[2]
GAILIARD JP, UNPUBLISHED
[3]
GAILIARD JP, 1979, ATOMIC COLLISION SOL
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共 3 条
[1]
VERY EFFICIENT VOID FORMATION IN ION-IMPLANTED INSB
[J].
DESTEFANIS, GL
论文数:
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DESTEFANIS, GL
;
GAILLIARD, JP
论文数:
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GAILLIARD, JP
.
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1980,
36
(01)
:40
-42
[2]
GAILIARD JP, UNPUBLISHED
[3]
GAILIARD JP, 1979, ATOMIC COLLISION SOL
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